峰位
- 綠色熒光碳點檢測有機溶劑中的水含量
的熒光強度、發(fā)射峰位和裸眼可見的顏色變化中的一點或兩點來實現(xiàn)有機溶劑內(nèi)水含量的定量檢測，但是往往檢測范圍較窄，還需要進一步優(yōu)化［15-21］。為了解決上述問題，本文制備了一種綠色熒光CDs，發(fā)現(xiàn)CDs 在不同溶劑中具有不同的發(fā)光特性，利用CDs 的熒光強度、發(fā)射峰位以及熒光壽命三者隨體系內(nèi)含水量的增加產(chǎn)生的變化來檢測有機溶劑中的水。1 實驗1.1 化學(xué)藥品和試劑檸檬酸（99.5%）、尿素（99.0%）、甲醇（Methanol，99.9%）、乙醇（Ethan
光子學(xué)報 2023年12期2024-01-15
- HPHT合成黃色鉆石改色實驗及發(fā)光特征研究
572.4 nm峰位，與拉曼光譜中的1333 cm-1相對應(yīng)[9]，為鉆石的特征峰。圖4 H-15號樣品的光致發(fā)光光譜圖Fig.4 Photoluminescence spectra of the sample H-15樣品經(jīng)過輻照之后572.4 nm的鉆石特征峰保持不變。同時出現(xiàn)了明顯的575 nm、626 nm、637 nm、741 nm的強發(fā)光峰位，比較寬的659 nm、680 nm峰位。575 nm的峰位是由孤立N和空穴形成的不帶電的（N-V）0色
中國寶玉石 2023年1期2023-02-23
- 基于多元散射校正的中藥材種類鑒別
16（AU）。其峰位相差較大，峰強趨勢不一致，峰數(shù)出現(xiàn)次數(shù)也大不相同，對比可知不同種類的藥材差異性較大。利用數(shù)據(jù)分析軟件Matlab對425組藥材的紅外光譜進行處理，結(jié)果如圖1所示。圖1 425組 中藥材數(shù)據(jù)曲線圖 由圖1可知，由于425組原數(shù)據(jù)未進行預(yù)處理，在[0，0.4]的數(shù)據(jù)存在大部分重疊，題中給出數(shù)據(jù)存在負值，且負值對其影響較小。圖中橫坐標表示光譜的波數(shù)，縱坐標表示吸收的中紅外光，令起點區(qū)間［0.7，0.9］為第一組數(shù)據(jù)；起點區(qū)間［0.5，0.6］
電子制作 2022年22期2023-01-11
- 短波紅外光譜技術(shù)在礦產(chǎn)勘查中的應(yīng)用
——以鄂東南陶港地區(qū)為例
35 nm)吸收峰位(Position)、吸收峰位深度(Deep)等參數(shù)都可以通過TSG V.3的標量直接獲取，白云母族礦物的結(jié)晶度(IC_Card)也可以通過TSG V.3的標量功能直接求出。每個樣品一般都有2個分析結(jié)果，若識別出單種礦物有多個數(shù)據(jù)，則取其平均值。因測試的原始數(shù)據(jù)量較大,故只列出部分數(shù)據(jù)，詳見表1。表1 鄂東南陶港地區(qū)鉆孔ZK01蝕變礦物短波紅外光譜測試結(jié)果表Table 1 SWIR results of the alteration m
資源環(huán)境與工程 2022年6期2023-01-03
- 航空伽瑪測量穩(wěn)譜電路設(shè)計
峰數(shù)據(jù)，計算中心峰位與相應(yīng)的特征峰標準峰位道數(shù)偏差，跟據(jù)偏差數(shù)據(jù)控制穩(wěn)譜電路調(diào)整能譜測量信號脈沖的大小，減小特征峰記錄道數(shù)的漂移；常用于穩(wěn)譜的天然放射性元素特征峰有：40K 1.46 MeV、214Bi 1.76 MeV、208Th 2.615 MeV以及測試源137Cs 0.662 MeV[3]；航空伽瑪測量穩(wěn)譜電路設(shè)計采用軟件尋峰控制，根據(jù)測量數(shù)據(jù)特征峰位的漂移變化，利用軟件程序調(diào)整控制能譜信號增益、調(diào)整信號電平相對基線的偏移變化，減小環(huán)境溫度變化引起
計算機測量與控制 2022年10期2022-10-27
- Co，Ni，Ti增韌氧化鋁/碳化硅刀具復(fù)合材料的制備及性能評價
復(fù)合材料的大部分峰位與純氧化鋁的峰位對應(yīng)。在復(fù)合材料中，由于碳化硅會以化合物的形式存在，XRD沒有識別[9]。當(dāng)加入Co元素后，在45位處有對應(yīng)CoSi峰位。當(dāng)加入Ni元素后，在45位處由Ni的峰位。當(dāng)加入Ti元素后，在42和60處明顯出現(xiàn)峰位，對應(yīng)著TiC或TiO2的峰位。當(dāng)加入Co元素后，在45位處有對應(yīng)的CoSi峰位；當(dāng)加入Ni元素后，在45位處有Ni的峰位；當(dāng)加入Ti元素后，在42和60位處明顯出現(xiàn)峰位，對應(yīng)TiC或TiO2的峰位。圖1 摻Co，N
工具技術(shù) 2022年8期2022-10-13
- 基于離散極大值法的太赫茲光譜特征吸收峰提取方法
赫茲光譜中的吸收峰位特征信息的方法，是太赫茲波廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域物質(zhì)識別的必要性研究。為實現(xiàn)藥品的太赫茲弱吸收峰的精準識別，本文提出了伴隨拐點法，并將其應(yīng)用于食品添加劑硝基呋喃類化合物的太赫茲吸收峰識別中。研究結(jié)果表明伴隨拐點法對弱吸收峰具有較好的識別作用。1 實驗部分1.1 實驗系統(tǒng)與樣品制備實驗采用Z3太赫茲時域光譜系統(tǒng)(Zomega Terahertz Corporation, USA)，系統(tǒng)的詳細介紹可參考文獻[21]。實驗測試的各硝基呋喃類藥物的純
光譜學(xué)與光譜分析 2022年10期2022-10-09
- XRD實驗中樣品臺高度對測定晶格常數(shù)的影響
線衍射圖譜由衍射峰位、峰強和峰形三要素構(gòu)成. 實際晶體的晶胞結(jié)構(gòu)、晶面間距、原子種類和位置等決定了衍射峰的位置和強度.另一方面，晶粒尺寸、微觀應(yīng)力、缺陷、織構(gòu)等會影響其峰形[5]. 在實驗過程中，如制樣不規(guī)范、儀器未校準等人為因素也會影響衍射譜中的峰位和峰形，最終導(dǎo)致實驗數(shù)據(jù)存在大的實驗誤差，實驗結(jié)論可靠性降低.晶格常數(shù)是描述物質(zhì)結(jié)構(gòu)的重要參量，可通過XRD譜圖衍射峰位及布拉格衍射方程確定[6].物質(zhì)的鍵合能、密度、熱膨脹、固溶度、相變、宏觀應(yīng)力等，均與晶
大學(xué)物理 2022年9期2022-09-28
- 余吾煤業(yè)原煤和構(gòu)造煤X射線光電子能譜測試
形式存在，分別為峰位為284.8 eV附近的C-H、C-C結(jié)構(gòu)，峰位為286.1 eV附近的C-O結(jié)構(gòu)，峰位為287.8 eV附近的C=O結(jié)構(gòu)以及峰位為289.2 eV附近的COO-結(jié)構(gòu)；氧結(jié)構(gòu)主要表現(xiàn)為3種結(jié)構(gòu)，分別為峰位為531.3 eV附近的羰基氧(C=O)，峰位為532.8 eV附近的醚氧基或羥基氧(C-O)以及534.1 eV附近的羧基氧(COO-)；氮元素結(jié)構(gòu)以398.8 eV峰位的吡啶氮(N-6)和400.2 eV峰位的吡咯氮(N-5)為主。
廣州化工 2022年16期2022-09-17
- 1,1,2,2-四(5-三甲基硅-二噻吩并[2,3-b:3′,2′-d]噻吩-2-)乙烯的發(fā)光現(xiàn)象研究
的現(xiàn)象，而發(fā)光的峰位也可能發(fā)生顯著的改變。自從聚集誘導(dǎo)發(fā)光概念被提出以來[1]，幾類具有AIE效應(yīng)的有機分子體系[2]被人們所熟知，包括四苯乙烯衍生物[3-4]、蝴蝶狀吡喃衍生物[5]、硅雜環(huán)戊二烯衍生物[6]等。同時有關(guān)“分子內(nèi)運動(單鍵旋轉(zhuǎn)與分子骨架振動)受限導(dǎo)致AIE效應(yīng)”的假說已得到了實驗與理論計算方面的支撐[7]?；贏IE效應(yīng)，這些分子在光電器件[8]、生物成像[9]、熒光化學(xué)傳感器[10]、圓偏振能量傳遞[11]、主客體化學(xué)[12]等方面獲得
化學(xué)研究 2022年5期2022-09-15
- 自由結(jié)構(gòu)PET在束監(jiān)測碳離子治療劑量成像過程研究
劑量的Bragg峰位于88 mm。11C、15O和10C的產(chǎn)額最多，占據(jù)所有統(tǒng)計的正電子核素產(chǎn)額的85.9%。在正電子核素產(chǎn)物里，11C的峰位距Bragg峰最近，其峰位在87 mm。15O和10C的峰位分別為78 mm和75 mm。對于橫向分布，采用二階或者三階高斯模型擬合得到其分布的半高寬(full width of half maximum, FWHM)和十分之一高寬 (full width of tenth maximum, FWTM)。物理劑量在B
同位素 2022年4期2022-08-22
- 二硫化鎢薄膜雙共振上轉(zhuǎn)換熒光增強研究
差。此外,X?的峰位隨功率增加逐漸紅移。由于硅片是一種N型半導(dǎo)體材料,與WS2產(chǎn)生能級階梯差,造成更多電子注入到WS2樣品中抬高其費米能級。這些結(jié)果表明,不同襯底對于樣品電荷的影響不同,從而調(diào)控樣品材料的熒光特性。固定激發(fā)功率為75μW,調(diào)節(jié)溫度從290 K逐漸降低到80 K,對樣品進行了溫度依賴性測試。由圖3(b)可見,隨著溫度降低,兩個激子態(tài)的峰位都發(fā)生了藍移且變化斜率幾乎一致,這是因為溫度降低增大了晶體帶隙,抬高了直接躍遷激子能級。此外,溫度降低使X
量子電子學(xué)報 2022年4期2022-08-22
- 含超輕元素Be礦物的電子探針定量分析
——測試條件的約束*
面網(wǎng)間距小、Be峰位L值偏向于高角度(Be L=210mm)弊端。但是基于當(dāng)時分光晶體本身的限制，在測量結(jié)果上并不太理想，尤其是有的數(shù)據(jù)具有較高的DL值(張文蘭等, 2006)，即便如此，對于JEOL用戶來說，也屬于突破性的工作。此后一段時間，沒有再發(fā)表相關(guān)的成果。直到Khiller (2017)在俄羅斯發(fā)現(xiàn)的含Be新礦物馬林斯基礦(Mariinskite：Be(Cr, Al)2O4)，使用CAMECA SX-100及配置的分光晶體為PC3(2d=21.1
巖石學(xué)報 2022年7期2022-08-04
- 采用光譜技術(shù)研究[C4mim][BF4]的傳壓和測壓性能
光峰R1和R2的峰位(中心波長)向較長的波長方向移動，同時R1和R2的峰寬(半高寬)也有變化。R1和R2的峰位向較長的波長方向移動，表明高壓會引起紅寶石發(fā)出的熒光頻率減?。籖1和R2的峰寬變化，表明由[C4mim][BF4]提供的高壓環(huán)境會引起紅寶石微粒受到的應(yīng)力分布情況發(fā)生變化。圖3 紅寶石的熒光光譜Mao等[9]報道：紅寶石R1峰位(或峰位變化量)與壓強滿足如式(1)關(guān)系(1)式(1)中，P為壓強，單位為GPa；λ0為常壓下紅寶石R1的峰位，單位為nm
光譜學(xué)與光譜分析 2022年6期2022-06-06
- 基于概率密度函數(shù)的加權(quán)變換在能譜測量中的應(yīng)用
對稱的高斯分布、峰位偏移的對數(shù)高斯分布和峰位可調(diào)的多峰分布為輸入隨機變量的分布函數(shù)，研究了WAT的處理效果，并與SLA算法進行了對比。對以單峰高斯分布為代表的對稱分布，WAT算法與SLA算法在處理效果上基本一致，以分布均值為代表的峰的位置不變，但峰的半高寬變小。這是因為半高寬與分布標準偏差正相關(guān)，峰與橫坐標形成的峰型面積則縮小至原面積的1/n。SLA算法對分布標準偏差的作用介于變量最小值和算術(shù)平均值之間，WAT算法能兼容SLA算法，在數(shù)據(jù)選取方面比SLA算
現(xiàn)代應(yīng)用物理 2022年1期2022-05-17
- 藍光激光器結(jié)構(gòu)中InGaN/GaN多量子阱界面效應(yīng)的精細光致發(fā)光光譜研究
確辨析PL數(shù)據(jù)的峰位、峰寬、峰強等光譜特征，我們對PL譜線數(shù)據(jù)進行了如圖1所示的擬合處理。 擬合結(jié)果發(fā)現(xiàn)H2-MQW樣品發(fā)光更強，其積分強度是N2-MQW樣品的1.8倍，說明勢壘層生長載氣中H2的引入能夠顯著提高InGaN/GaN多量子阱的發(fā)光效率。 此外，H2-MQW樣品和N2-MQW樣品發(fā)光峰的峰位和峰寬也存在較大差異。 H2-MQW樣品發(fā)光峰的峰位和半峰寬(FWHM)分別為2.756 eV和105 meV，N2-MQW樣品PL光譜的峰位和半峰寬分別為
光譜學(xué)與光譜分析 2022年4期2022-04-06
- 熒光法測定半導(dǎo)體禁帶寬度*
有許多研究將熒光峰位能量默認為禁帶寬度并結(jié)合費伽德定律(Vegard’s law)計算出相關(guān)的結(jié)構(gòu)參數(shù)[11-14].然而,上述將熒光峰位能量簡單地看作是禁帶寬度的做法并不十分妥當(dāng),因為在很多情況下,樣品結(jié)構(gòu)的不完美會導(dǎo)致峰位能量與禁帶寬度之間出現(xiàn)較大的偏差.眾所周知,由于生長工藝的不成熟以及合適襯底的缺乏,致使所獲得的半導(dǎo)體材料的結(jié)晶質(zhì)量或結(jié)構(gòu)質(zhì)量不夠完美,如雜質(zhì)/缺陷相關(guān)的非輻射中心的存在[15,16],多元合金中組分起伏相關(guān)的局域中心的存在[17,1
物理學(xué)報 2022年6期2022-03-30
- 利用離子激發(fā)發(fā)光研究低溫條件下ZnO發(fā)光行為
00 K時DBE峰位較200 K相比，無明顯移動，但與300 K時相比，卻有明顯變化；對于圖2(c)中的NBE峰位，溫度降低其峰位發(fā)生藍移。下文我們會進一步討論DBE與NBE峰位產(chǎn)生移動的原因與起源。注2 在1×1012 ions·cm-2 H+輻照作用下不同溫度的光譜(a)、DBE歸一化光譜(b)、NBE歸一化光譜(c)。3.1 DBE演變3.1.1 DBE峰位隨注量演變與起源溫度為200 K時，注量為3.73×1013ions·cm-2，2 MeV H
發(fā)光學(xué)報 2022年2期2022-02-23
- 贊比亞、坦桑尼亞和澳大利亞紫紅-棕紅色石榴石的成分和光譜學(xué)對比
0 cm-1處的峰位歸屬于硅氧四面體中Si—O伸縮振動[(Si—O)str]，400～650 cm-1處的峰位歸屬于硅氧四面體中Si—O彎曲振動[(Si—O)bend]，300～400 cm-1處的峰位歸屬于硅氧四面體轉(zhuǎn)動(R[SiO4])，300 cm-1以下的峰位歸屬于硅氧四面體平動(T[SiO4])、二價陽離子的平動等[9]，表3列出了各峰位具體歸屬的振動模式。圖4 部分樣品的拉曼光譜ZP222：贊比亞；T3：坦桑尼亞；A4：澳大利亞Fig.4 Ra
光譜學(xué)與光譜分析 2022年1期2022-01-12
- Be, Si 摻雜調(diào)控GaAs 納米線結(jié)構(gòu)相變及光學(xué)特性*
模式峰, 對應(yīng)的峰位～259 cm–1[19-21]. Raman 光譜如圖2(a)所示, 本征GaAs 納米線存在E2, TO和LO 模式峰, 而Si 摻雜和Be 摻雜并沒有發(fā)現(xiàn)明顯的E2 模式峰. 為了更好地說明摻雜之后GaAs 納米線的結(jié)構(gòu)的變化, 進行多洛倫茲擬合, 如圖2(b)—(d)所示. 圖2(b)顯示明顯的GaAs E2 模式峰, 證實本征GaAs 納米線的結(jié)構(gòu)為WZ/ZB 混相結(jié)構(gòu).圖2(c)顯示Si 摻雜GaAs 納米線存在微弱的GaA
物理學(xué)報 2021年20期2021-12-23
- 一種低原子序數(shù)元素EDXRF的多次導(dǎo)-樣條小波解析方法研究
條小波處理后會對峰位造成較大誤差[11]。相較于二階、 四階樣條小波，三階樣條小波分解具有特征峰面積誤差較小、 特征峰位置基本不變的優(yōu)點[12]。所以選用三階樣條小波基。(1)樣條小波的性質(zhì)和定義利用小波變換對EDXRF光譜分析的基本思路為： 首先選擇適當(dāng)?shù)母负瘮?shù)和母函數(shù)，然后將原始信號進行離散小波變換，得到不同尺度上的信息，其中高頻部分代表能譜峰信號，最后對高頻信號進行乘以一個加權(quán)系數(shù)而將其進行分解。設(shè)m為自然數(shù)，則定義m階B樣條Nm(x)如下(2)(3
光譜學(xué)與光譜分析 2021年8期2021-08-16
- 峰位微擾動修正在構(gòu)建高斯響應(yīng)矩陣中的應(yīng)用研究
依然無法有效解決峰位漂移的影響[9]；相比以上兩種方法，高斯函數(shù)法的響應(yīng)矩陣構(gòu)建速度更快，在解析低能量分辨率的能譜時表現(xiàn)良好[10]，然而，該方法過度依賴整數(shù)道的峰位信息，因此其對高分辨率儀器譜解析能力有待進一步優(yōu)化[3,11-12]。隨著γ能譜儀能量分辨能力的不斷提高(高純鍺能譜儀的道寬可達0.127 keV/道)[13]，特征峰峰形受峰位擾動的影響程度增加。本文擬針對高斯函數(shù)法未考慮實測譜峰位處于相鄰兩道之間而導(dǎo)致解譜中出現(xiàn)雜峰、錯峰等問題[11]，通
原子能科學(xué)技術(shù) 2021年8期2021-08-02
- 約束非線性最優(yōu)化迭代方法解析γ能譜重峰
據(jù)中確定各個峰的峰位和峰面積（分別對應(yīng)射線的能量和強度）等參數(shù)。非線性擬合是一種應(yīng)用廣泛的數(shù)據(jù)分析和參數(shù)估計方法，它利用優(yōu)化算法最小化擬合函數(shù)與能譜之間的均方誤差（或加權(quán)均方誤差），實現(xiàn)對峰參數(shù)的估計，是一種經(jīng)典的γ能譜重峰解析手段［8］。擬合函數(shù)通常由峰形函數(shù)和本底函數(shù)兩部分組成。例如，對NaI（Tl）和LaBr3（Ce）等常用閃爍譜儀測量的γ能譜，其全能峰可用高斯函數(shù)描述，而本底可用線性或者二次函數(shù)的形式［7，9-10］。通常本底函數(shù)可以利用峰區(qū)兩端的
核技術(shù) 2021年2期2021-03-06
- 基于發(fā)光二極管的穩(wěn)譜技術(shù)研究
、152Eu)的峰位漂移量，查看穩(wěn)譜效果。1 實驗原理1.1 LED穩(wěn)譜原理NaI(Tl)閃爍體的發(fā)光效率受溫度影響是NaI(Tl)譜漂移的重要因素。在不同溫度下，NaI(Tl)閃爍體的發(fā)光效率發(fā)生變化，則意味著同樣能量的γ射線進入閃爍體中，閃爍體光產(chǎn)額要發(fā)生變化，其結(jié)果是輸出電壓脈沖幅度不同，造成譜的漂移。此外，譜儀系統(tǒng)中高壓電源電流、光電倍增管、放大器的放大倍數(shù)等都會隨溫度發(fā)生變化，能譜的漂移導(dǎo)致能譜解析困難和強度測量誤差[9]。LED的穩(wěn)譜方法屬于參
同位素 2020年6期2020-12-18
- 液晶顯示屏基板玻璃與蓋板玻璃紅外與拉曼光譜分析
[9]，蓋板玻璃峰位于1 045 cm-1，相對于基板玻璃頻率(1 083 cm-1)更低，表明蓋板玻璃中非橋氧數(shù)目更多，非橋氧振動強于基板玻璃，從而使譜帶向低頻率移動，這與表1中的蓋板玻璃更高的X2值一致?；宀Ａг? 427 cm-1處的峰是 [BO3]三角體中的 B-O 伸縮振動引起的[10]，說明基板玻璃中B2O3有以[BO3]三角體的形式存在，至于以[BO4]四面體形式存在的B，紅外光譜無法確定。蓋板玻璃在1 616 cm-1處的峰位與吸附水的-
硅酸鹽通報 2020年11期2020-12-10
- β射線在鋁膜及空氣中的衰減
還可以讓學(xué)生分析峰位和半高全寬(Full width at half maximum, FWHM)隨鋁片厚度的改變. 通過對比分析β射線穿過的真空盒內(nèi)抽真空及不抽真空2種模式下探測器給出的信號計數(shù)率的變化，可計算出空氣對不同能量的β射線的衰減長度. 學(xué)生在進行能譜分析的過程中涉及到本底扣除、信號峰位擬合、信號峰雙側(cè)擬合提取半高全寬信息等一系列能譜分析操作.1 實驗測量方法β衰變是放射性原子核放射電子(β粒子)和中微子而轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N核的過程[2]. 因為釋放
物理實驗 2020年7期2020-08-05
- X射線衍射測試樣品位置對譜線峰位和強度的影響
試中譜線峰強度和峰位的影響.1 試驗部分1.1 儀器X’Pert Pro MRD多晶X射線衍射儀，配備超能陣列探測器(X’Celerator)，荷蘭帕納科公司生產(chǎn).1.2 功能簡介X’Pert Pro MRD多晶X射線衍射儀的超能陣列探測器采用RTMS實時多道技術(shù)，內(nèi)置100多個微型探測器，可以同時對信號進行接收，接收速度比正比探測器提高100倍.此外儀器光路系統(tǒng)配備索拉狹縫、防散射狹縫、面罩和單色器等，因此X射線源發(fā)射X射線光可以得到單色光源照射樣品，同
分析測試技術(shù)與儀器 2020年2期2020-07-09
- 雙光譜二維異步相關(guān)光譜表征分子間相互作用的可行性研究
為摩爾吸光系數(shù)、峰位和半高半寬。1.2 實際體系苯并-15-冠醚-5/氯化鋰/甲醇體系，具體實驗過程參考文獻[14]。 模擬及實際體系數(shù)據(jù)處理程序由MATLAB R2014a軟件編寫。2 結(jié)果與討論2.1 2T2D-異步相關(guān)光譜表征分子間相互作用的可靠性研究為正確表征分子間相互作用，2T2D-異步相關(guān)光譜應(yīng)同時具有兩個性質(zhì)： (1)P和Q間不存在相互作用時，2T2D-異步相關(guān)光譜的強度為零； (2)P和Q間存在相互作用時，2T2D-異步相關(guān)光譜的強度不為零
光譜學(xué)與光譜分析 2020年4期2020-05-07
- 鳳翔雍山血池遺址玉器火燎祭祀實證研究*
所示。拉曼圖譜的峰位值整理如表二所示，紅色標記透輝石的特征峰位，黑色標記透閃石的特征峰位。所有玉璋既有透閃石峰位，也有透輝石峰位，呈現(xiàn)透閃石至透輝石的中間態(tài)，表明這批玉璋經(jīng)歷了火燒過程。其 中，1、13～15 號標本的透輝石峰位較少，仍以透閃石峰位為主，顯示這4 件標本的受熱程度較低，因此顏色變化較少，仍呈現(xiàn)較深色調(diào)。其余11件玉璋的透輝石峰位較多，顯示它們的受熱程度較高，因此顏色變化較大，已經(jīng)呈現(xiàn)白色調(diào)。從透輝石特征峰位出現(xiàn)的先后順序 看，1、5、13～
考古與文物 2020年6期2020-04-14
- 不同種類茶葉沖泡前后中紅外光譜變化探析
光譜特征性區(qū)間和峰位指明方向;同時基于茶葉與其對應(yīng)茶湯的FTIR 光譜分析,探討茶葉沖泡前后主要化學(xué)成分的溶出率差異,及茶葉種類對各茶葉小分子化合物溶出的影響,旨在為市場中茶葉、速溶茶粉等產(chǎn)品化學(xué)品質(zhì)鑒別及色澤品評提供一定的依據(jù)。1 材料與方法1.1 材料與試劑7個供試茶樣購于2015年,全部為合肥市場市售茶葉,分別是黃山毛峰(綠茶,安徽)、安吉白茶(綠茶,安徽)、白牡丹(白茶,福建)、抱兒鐘秀(黃大茶,安徽)、亨大蘭花(黃大茶,安徽)、天方安茶(黑茶,安
核農(nóng)學(xué)報 2020年3期2020-03-17
- 基于Gaussian-LM 算法的便攜式多道γ 能譜儀自動穩(wěn)譜研究
號幅度改變、能量峰位漂移， 對能譜數(shù)據(jù)的解析造成困難。因此， 自動穩(wěn)譜算法或穩(wěn)譜系統(tǒng)的設(shè)計與研究是十分必要的。常見的穩(wěn)譜措施為采用放射源作為參考源的穩(wěn)譜方法， 即在探測器內(nèi)嵌一個低能γ射線參考源或α 射線參考源， 通過穩(wěn)定該參考源的等效峰位達到穩(wěn)定待測能區(qū)譜峰的目的［3-4］。 由于參考源形成的參考峰在低能區(qū)，當(dāng)環(huán)境溫度差異較大時， 譜漂的非線性導(dǎo)致穩(wěn)譜效果并不理想。 采用單色LED 作為外部光源形成參考峰成為代替上述內(nèi)嵌放射源穩(wěn)譜的一個新的方案， 系統(tǒng)根
世界核地質(zhì)科學(xué) 2020年4期2020-03-02
- 混合型碘系鈣鈦礦薄膜變溫光致發(fā)光特性的研究*
發(fā)光 (PL)的峰位輕微的紅移; 之后至350 K, 發(fā)生藍移.而Br—陰離子混合型鈣鈦礦薄膜的PL峰位只隨溫度升高持續(xù)藍移.并且在不同工作溫度下, Br—陰離子比例 x與 PL峰位呈現(xiàn)線性關(guān)系.對于純碘系鈣鈦礦, 其高溫段激子結(jié)合能是 37.5 meV; 隨著Br—的比例的增加, 高溫段激子結(jié)合能會先增大后減小.當(dāng)x = 0.0333, 其薄膜PL半高寬隨溫度升高展寬幅度最小, 具有更好的溫度穩(wěn)定性.通過進一步三重陽離子混合和陰離子調(diào)節(jié), 獲得更加優(yōu)良的
物理學(xué)報 2019年24期2019-12-24
- 多層GaS的變溫拉曼活性探究
程序有關(guān). 拉曼峰位置的不確定性主要由擬合過程引起，可以通過重復(fù)測量峰位和峰寬值的擴展來評估拉曼峰的質(zhì)量優(yōu)劣[10].4 GaS拉曼光譜的溫度特性以25 K為步長，得到210～690 K拉曼峰位的移動，如圖5所示.圖5 拉曼峰位隨溫度變化由圖5可見，在溫度變化500 K的范圍內(nèi)，拉曼峰位紅移比較明顯，并有強烈的線性趨勢，表現(xiàn)為能量降低和帶隙展寬[12]. 由此可見，拉曼峰位與溫度呈一次相關(guān). 其原因在于，拉曼頻移與晶格結(jié)合能有關(guān)，類比于原子間的鍵能，2個或
物理實驗 2019年10期2019-10-30
- 特征性峰位法結(jié)合化學(xué)計量學(xué)構(gòu)建奶粉脂肪含量定量模型
系,FTIR光譜峰位往往會疊加,互相干擾,給定量分析造成不便[10]。為解決這些問題，一種方法是對復(fù)雜體系的FTIR光譜進行分峰擬合,將一個寬峰經(jīng)過變換,獲得更為精細的峰位信息[11]。另一種方法是基于化學(xué)計量學(xué)的方法。隨著計算機計算能力的提升,對大量光譜進行矩陣分析成為可能,也產(chǎn)生了多種算法實現(xiàn)對光譜的定量分析。其中應(yīng)用最廣的是偏最小二乘法(PLS)[12]。本試驗利用光譜特征峰位法和PLS法對奶粉的脂肪含量進行定量分析,以分析二者在FTIR光譜定量分析
安徽科技學(xué)院學(xué)報 2019年2期2019-06-24
- GRM在軌標定探測器的設(shè)計和實現(xiàn)
工況中飽和能譜的峰位漂移要求小于0.5 V。本文對GCD研制過程進行介紹，并對設(shè)計中出現(xiàn)的問題加以驗證及改進。1 工作原理及電路設(shè)計1.1 GCD設(shè)計方案探測器穩(wěn)定增益的基本原理是根據(jù)標定譜峰位的變化，通過改變PMT高壓或電子學(xué)系統(tǒng)增益來實現(xiàn)譜儀增益的穩(wěn)定，其方法有多種，主要包括：1) 利用測量標定放射源發(fā)出的單能X射線，獲得峰位信息再進行穩(wěn)譜，如BeppoSAX衛(wèi)星上的PDS探測器[12]、RXTE上的HEXTE探測器[13]及HXMT上的高能探測器均使
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年6期2019-06-14
- GaAs納米線晶體結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性*
,發(fā)現(xiàn)P1位置的峰位隨功率增加而藍移,而P2位置的峰位不變.通過擬合發(fā)現(xiàn)P1峰位與功率1/3次方成線性相關(guān),判斷可能是WZ/ZB混相結(jié)構(gòu)引起的Ⅱ型發(fā)光; 同時,對P2位置的峰位進行擬合,P2為激子復(fù)合發(fā)光.對納米線進行拉曼光譜測試,從光譜圖中發(fā)現(xiàn)GaAs WZ結(jié)構(gòu)特有的E2聲子峰,因此證明生長出的納米線為WZ/ZB混相結(jié)構(gòu),并通過高分辨透射電子顯微鏡更直觀地觀察到納米線的混相結(jié)構(gòu).1 引言Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米線材料經(jīng)過十幾年的發(fā)展已經(jīng)在光電器件上展現(xiàn)出很高的
物理學(xué)報 2019年8期2019-05-29
- 基于核物理虛擬仿真實驗平臺的γ能譜測量
根據(jù)γ粒子能量與峰位道址的線性關(guān)系Eγ=kN+b，(1)如果對應(yīng)E1的峰位道址位于N1，對應(yīng)E2的峰位道址位于N2，則可以得到k和b為對能量和道址進行最小二乘法擬合，得到能量定標公式(1)式，代入未知射線峰位的道址N，可測量未知射線的能量.2 實驗儀器核物理虛擬仿真實驗平臺主要由虛擬核信號發(fā)生器、通用多道分析器、實驗輔助軟件、計算機和示波器構(gòu)成，如圖1所示. 用虛擬核信號發(fā)生器代替實體放射源，可以給出指定放射源的物理信息，借助計算機仿真技術(shù)在實驗平臺的深入
物理實驗 2019年1期2019-02-13
- 富氫條件下CO優(yōu)先氧化反應(yīng)CuO-CeO2催化劑的制備及應(yīng)用
到CeO2的特征峰位，各晶面對應(yīng)峰位已在圖1中標出，但我們在2θ/°=38.76、38.92、48.70等附近未找到CuO的特征峰位；在2θ/°=29.58、36.44、42.33、61.41、73.56 等處亦未發(fā)現(xiàn)Cu2O的特征峰位。由此可以看出，隨著CuO摩爾含量在5%～25%變化，組內(nèi)所有的樣品都呈現(xiàn)典型的螢石礦晶型。因此，我們制得的為具有螢石礦構(gòu)型的CuO-CeO2系列催化劑，同時我們認為CuO高度分散在螢石礦構(gòu)型CeO2中。圖1 UGC法制備的
安徽化工 2018年5期2018-10-23
- 同步輻射衍射增強成像技術(shù)檢測人離體乳腺癌的實驗研究
mA，曝光時間在峰位為70 ms，左右半高位均為280 ms，探測器使用X射線CCD成像系統(tǒng)(Photonic Science X-ray FDI 18 mm成像系統(tǒng)，1 300 pixels×1 030 pixels，分辨率為10.9 μm)。放置樣品后獲取搖擺曲線，然后分別在搖擺曲線的峰位和反射率為50%左右的半高寬位進行成像。1.3 圖像處理與分析圖1 BSRF 4W1A光束線實驗線站DEI示意圖Fig.1 Schematic DEI experim
中國癌癥雜志 2018年5期2018-06-12
- 壘層厚度對InGaN/GaN多量子阱電注入發(fā)光性能的影響及機理
注入電流下的發(fā)光峰位來看，壘層越厚則波長越長，也說明隨著壘層厚度的增加，阱層中極化效應(yīng)增強，能帶傾斜加劇。如果從阱層能量最低處到壘層能量最高處作為電子跳出阱層所需要克服的勢壘，那么隨著壘層厚度的增加，除了勢壘加寬以外，勢壘高度也增大，電子克服勢壘、跳出阱層的幾率減小，電注入阱層的電子向外的泄漏就會減少。理論計算已經(jīng)證明了增加壘層厚度可以減小InGaN/GaN量子阱的泄漏電流[10-12]。正是由于厚壘的樣品電子泄漏少，使得更多的載流子滯留在阱中，用于輻射復(fù)
發(fā)光學(xué)報 2018年2期2018-02-28
- 探討中藥沉香品種鑒定方法及鑒別研究
據(jù)對比國產(chǎn)沉香：峰位為204.94，谷位為203.12，相同吸收峰值為1.323，大峰值比為6.07，大峰大谷值比為6.75。進口沉香：峰位為204.94，谷位為204.01，相同吸收峰值為2.3045，大峰值比為6.31，大峰大谷值比為6.66。偽品沉香：峰位為204.94，谷位為232.13，相同吸收峰值為0.9755，大峰值比為1.61，大峰大谷值比為6.62。經(jīng)統(tǒng)計分析發(fā)現(xiàn)，偽品沉香和正品沉香相比較而言，兩者在相同吸收峰值、大峰值比、大峰大谷值比對
中西醫(yī)結(jié)合心血管病雜志(電子版) 2018年17期2018-01-14
- 探討中藥沉香品種鑒定方法及鑒別研究
據(jù)對比國產(chǎn)沉香：峰位為204.94，谷位為203.12，相同吸收峰值為1.323，大峰值比為6.07，大峰大谷值比為6.75。進口沉香：峰位為204.94，谷位為204.01，相同吸收峰值為2.3045，大峰值比為6.31，大峰大谷值比為6.66。偽品沉香：峰位為204.94，谷位為232.13，相同吸收峰值為0.9755，大峰值比為1.61，大峰大谷值比為6.62。經(jīng)統(tǒng)計分析發(fā)現(xiàn)，偽品沉香和正品沉香相比較而言，兩者在相同吸收峰值、大峰值比、大峰大谷值比對
中西醫(yī)結(jié)合心血管病雜志(電子版) 2018年13期2018-01-12
- 固定式環(huán)境γ譜儀量值溯源方法*
500 s-1、峰位計數(shù)大于10 000，計算661.66 keV全能峰的半高寬和峰位（用道數(shù)表示），分辨力=半高寬/峰位。本實驗用參考源B（137Cs源活度為2.11×105Bq）在距離探測器中心30 cm處照射NaI(Tl) γ譜儀50 min，取得滿足上述條件的γ譜，實驗重復(fù)三次。1.7 短期穩(wěn)定性測試短期穩(wěn)定性代表短時間內(nèi)γ譜儀道址與能量對應(yīng)關(guān)系的穩(wěn)定性。JJG 417-2006要求首先測得一個全譜計數(shù)率小于1 500 s-1、峰位計數(shù)大于10 0
上海計量測試 2017年3期2017-07-24
- 鈷納米結(jié)構(gòu)光學(xué)性質(zhì)的離散偶極近似分析
譜都由顯示有兩個峰位的波形演化為一個半高寬較大的波形,顆粒特性受核殼金屬的共同作用。這些結(jié)果可以為其在太陽能領(lǐng)域等應(yīng)用中的結(jié)構(gòu)參數(shù)選擇提供參考和借鑒。金屬鈷；納米結(jié)構(gòu)；離散偶極近似；光學(xué)性質(zhì)1 引言金屬納米顆粒的許多獨特性質(zhì)使得它們在發(fā)光材料、磁性材料、半導(dǎo)體材料、催化材料和納米器件等領(lǐng)域得到了深入的研究,如貴金屬金、銀由于其特殊的表面等離共振性質(zhì)進而已經(jīng)在生物傳感、太陽能電池等方面得到了充分的應(yīng)用[1-2],而磁性金屬納米顆粒如金屬鈷由于在單電子器件、超
光散射學(xué)報 2016年3期2016-11-28
- 基于GIXRR反射率曲線的二氧化硅納米薄膜厚度計算
線法。結(jié)果表明：峰位級數(shù)對線性擬合厚度產(chǎn)生主要影響，峰位級數(shù)增加，厚度增大；峰位對應(yīng)反射角同樣對線性擬合厚度有較大影響，表現(xiàn)為干涉條紋周期增大，厚度減小。但峰位級數(shù)及其對應(yīng)反射角在擬合薄膜厚度過程中引入的誤差可進一步通過試差法，臨界角與干涉條紋周期的校準來減小。對任意厚度的同一樣品，線性擬合和軟件擬合兩種方法得到的薄膜厚度具有一致性，厚度偏差均小于0.1 nm，表明線性擬合方法的準確性。在厚度準確定值的基礎(chǔ)上提出薄膜厚度與干涉條紋周期的經(jīng)驗關(guān)系曲線，通過該
光譜學(xué)與光譜分析 2016年10期2016-07-12
- 掃描電鏡能譜法測定獨居石中鈰、鑭、釷等元素的含量
元素電鏡能譜指示峰位明顯不同.其中C元素指示峰位為0.3 keV，檢出頻數(shù)為6次；O元素指示峰位為0.5 keV，檢出頻數(shù)為6次；Ce元素指示峰位為0.7、0.9、4.3、4.9、5.3、5.7、6.1 keV，7個峰位檢出頻數(shù)分別為4、2、5、6、5、4、5次，其中0.7和4.3 keV峰位為其標志峰位；Nd元素指示峰位為0.9、4.7、5.3、5.7、6.1、6.7 keV，6個峰位檢出頻數(shù)分別為5、6、6、6、3、2次，其中4.7和6.7 keV峰位
地質(zhì)與資源 2015年5期2015-04-21
- 基于冪次方法的快速核素識別應(yīng)用分析
采用數(shù)學(xué)原理凸顯峰位信息，然后再用一般的尋峰方法尋峰，確定峰位，通過峰位標定，得出核素識別結(jié)論。222Na實驗測量研究內(nèi)容基于PC機Matlab軟件輔助完成，以不同時間間隔、不同方式獲取的22Na源γ能譜數(shù)據(jù)作為分析對象，采用同種尋峰法對經(jīng)過冪次方處理（采用平方處理）和未經(jīng)過處理的譜數(shù)據(jù)尋峰，通過分析尋峰結(jié)果和參數(shù)，對此法的應(yīng)用能力做出初步的判斷。2.1 22Na峰位確定方法對22Na源測量譜圖進行處理，如圖1所示為采集時間較長時22Na源譜數(shù)據(jù)平滑后能譜
科技傳播 2015年15期2015-03-25
- 短波長X射線應(yīng)力測試的重復(fù)性及統(tǒng)計誤差評估
力分析儀測試衍射峰位的相對偏差，并進一步計算了應(yīng)力測試的統(tǒng)計誤差。1 試樣制備與試驗方法采用自主研制的XL－1型短波長體應(yīng)力分析儀進行應(yīng)力測試，該儀器主要由主機、測角儀、樣品臺、探測器和控制系統(tǒng)等組成。試樣為200mm×200mm×200mm的2024－T351鋁板。將鋁試樣立放在樣品臺上，先對試樣進行厚度方向的z掃描，即探測器位置不動，試樣沿厚度方向逐漸移動，以確定測試點的位置；z掃描后，將鋁板中心移至z掃描曲線的峰值位置，對鋁板中心位置的衍射峰進行測試
機械工程材料 2015年11期2015-03-17
- 牡丹皮及其不同炮制品的紫外光譜鑒別方法
譜線組的吸收峰、峰位及吸收度等的不同。結(jié)果牡丹皮重炭在峰位值上相似, 但牡丹皮在274 nm附近的吸收峰是重炭的3倍, 差異具有統(tǒng)計學(xué)意義(P＜0.05)。輕碳和標炭的峰形、峰位相似, 但標炭的吸收度大于輕碳, 差異具有統(tǒng)計學(xué)意義(P＜0.05)。結(jié)論紫外光譜能夠靈敏、準確的鑒別區(qū)分牡丹皮及其不同炮制品, 因此值得臨床推廣使用。牡丹皮；輕炭；標炭；重炭；不同炮制品；紫外光譜牡丹皮是中醫(yī)臨床上常用的一種藥物, 是毛茛科植物牡丹的根皮[1]。據(jù)《藥性論》記載,
中國現(xiàn)代藥物應(yīng)用 2015年18期2015-03-10
- 煤炭元素含量在線測量程序的設(shè)計
3 特征伽馬射線峰位的尋找實驗中，可通過調(diào)整伽馬射線探測器的高壓或MCA的放大倍數(shù)使元素特征伽馬射線峰的峰位基本不變，但由于BGO晶體的溫度特性、電源電壓等因素的影響，峰位無法保持不變，需要尋峰程序確定特征伽馬射線的峰位［8］。由于統(tǒng)計誤漲落，峰位漂移等因素的影響，峰位附近的計數(shù)有可能突然增大，超過峰位處的伽馬射線計數(shù)。如果用計數(shù)最大值確定峰位，伽馬計數(shù)突然增大的可能被誤認為是峰位。為避免此現(xiàn)象的出現(xiàn)，在尋峰程序中，不是尋找單道計數(shù)的最大值，而是尋找11道
吉林大學(xué)學(xué)報(信息科學(xué)版) 2015年1期2015-01-12
- 重金屬離子敏光纖舌信號處理仿真研究*
數(shù)決定,峰高a、峰位b和峰寬c。整個高斯函數(shù)系為(1)由于本文中只涉及3種離子，故n=3。取A,B和C離子的歸一化峰高a1，a2和a3分別為0.95，0.90和0.85，峰位b1，b2和b3分別為400，500,600 nm，峰寬c1，c2和c3分別為80，100,80 nm，得到高斯函數(shù)系如圖2所示。實際的信號應(yīng)該是3條曲線的疊加，如圖3中疊加光譜所示，疊加后可以得到在峰位上的峰高分別為1.005 5，0.923 3和0.905 6，與未疊加前的單獨每個
傳感器與微系統(tǒng) 2014年5期2014-09-25
- 脈沖中子氧活化測井圖譜的峰位識別方法與應(yīng)用
圖譜曲線來說，其峰位特征往往不是理想的正態(tài)分布形態(tài)，解釋時需要正確實別判斷這些峰位，使解釋計算結(jié)果更精確，與實際情況更接近。在測井工藝上，脈沖中子氧活化測井儀可以直接測得油管內(nèi)，油套環(huán)形空間內(nèi)和套管內(nèi)的向上向下2個方向的水流量，甚至可以測到套管外近地層的縱向水流速度用來判斷竄層。與目前油田注入剖面測井的其他方法相比具有明顯的優(yōu)越性，在油田開發(fā)動態(tài)分析和方案等方面起了到重要的作用。為了精確計算水溶液的流動速度，筆者對脈沖測井圖譜的峰位識別技巧提出了經(jīng)驗性的方
長江大學(xué)學(xué)報(自科版) 2014年14期2014-09-15
- Bootstrap非參數(shù)法在γ能譜處理中的應(yīng)用
論是在峰形上還是峰位位置或者峰位計數(shù)上都非常符合。用同樣方法處理137Cs的661.2 keV特征峰，得到類似的結(jié)果，即短測量時間的實測譜的計算譜與長測量時間的實測譜能很好地吻合(圖4)。圖3 增加抽樣次數(shù)前(a)后(b)241Am實測譜和計算譜對比Fig.3 Measured and calculated spectrum of 241Am before (a) and after (b)increase the number of sampling.□
核技術(shù) 2014年1期2014-04-03
- 多道g 能譜測量系統(tǒng)的研究
測器、主放大器、峰位展寬及門控電路、高壓電路、DSP應(yīng)用開發(fā)板和PC機。其構(gòu)成框圖如圖2所示。圖2 基于DSP多道脈沖幅度分析器原理框圖當(dāng)探測器探測到射線時，會產(chǎn)生一個電壓脈沖信號，經(jīng)過前置放大器和主放大器的成形、濾波、放大后輸出0～3.3V的電壓信號，由峰位展寬器將脈沖信號峰位展寬，并同時觸發(fā)A/D轉(zhuǎn)換，最終數(shù)據(jù)將通過SCI模塊傳輸?shù)缴衔粰C，由應(yīng)用軟件進行能譜的顯示和處理。2.1 NaI(Tl)晶體探測器本系統(tǒng)的探測器采用具有較高發(fā)光效率和良好的能量線性
計量技術(shù) 2014年11期2014-03-22
- Bootstrap非參數(shù)法在γ能譜處理中的應(yīng)用
論是在峰形上還是峰位位置或者峰位計數(shù)上都非常符合。用同樣方法處理137Cs的661.2 keV特征峰，得到類似的結(jié)果，即短測量時間的實測譜的計算譜與長測量時間的實測譜能很好地吻合(圖4)。圖3 增加抽樣次數(shù)前(a)后(b)241Am實測譜和計算譜對比Fig.3 Measured and calculated spectrum of241Am before (a) and after (b)increase the number of sampling.□
核技術(shù) 2014年1期2014-01-13
- Mg注入非極性a面GaN退火溫度的研究
2，3的3個發(fā)光峰位分別為363 nm，411 nm，550 nm，對應(yīng)著3.415 eV，3.02 eV，2.25 eV。其中發(fā)光峰位1對應(yīng)著帶邊峰，對于發(fā)光峰位2文獻［3］報導(dǎo)為導(dǎo)帶自由電子和摻雜引入深受主能級復(fù)合引起，有人認為是深施主與淺受主對發(fā)光［4］，文中觀點趨向于認為是獨立的受主MgGa和位于導(dǎo)帶底170 meV處的間位Mg雜質(zhì)Mgi復(fù)合所產(chǎn)生的，發(fā)光峰位3則為黃帶。圖2(b)為750℃退火似的光致發(fā)光譜，圖中出現(xiàn)了5個發(fā)光峰，發(fā)光峰位為367
電子科技 2013年1期2013-04-25
- 多層金屬納米點陣的制備及其光學(xué)性質(zhì)的研究*
質(zhì)對于LSPR的峰位影響很明顯[2-4].這一高靈敏性，使得LSPR被廣泛應(yīng)用在納米光學(xué)[5]、生物化學(xué)傳感[6]、超快的光速開關(guān)[7-9]、非線性光學(xué)[10]等領(lǐng)域.近年來，科學(xué)家研究了不同形貌的Ag，Cu金屬顆粒的光學(xué)特性，如金屬納米球[11]、納米環(huán)[12]、納米棱鏡[13]等.有一部分研究針對的是金屬/介質(zhì)交替層疊的多層納米顆粒，當(dāng)堆迭層大小一致時，理論和實驗研究均表明，納米顆粒的共振峰位置隨著金屬/介質(zhì)層數(shù)的增加而紅移[14].對于金屬/介質(zhì)層上
物理學(xué)報 2013年18期2013-04-21
- 高場非對稱波形離子遷移率譜的正弦切割波形產(chǎn)生與離子分離特性*
究波形對圖譜離子峰位及分辨率的影響。1 實驗部分1.1 FAIMS 實驗裝置采用自制的平板型FAIMS裝置進行實驗，結(jié)構(gòu)如圖1所示，離化源為10.6 eV紫外燈，正離子檢測模式。利用射頻濺射鍍膜技術(shù)在玻璃基片上制備出過濾電極(尺寸為11 mm×5 mm)，檢測電極以及偏轉(zhuǎn)電極(尺寸均為5 mm×5 mm)。上下兩片玻璃基片由0.35 mm玻璃壓條隔開，形成用于通過樣品氣體的狹縫。非對稱波形AWV與補償電壓(Compensated Voltage，CV)疊加
傳感技術(shù)學(xué)報 2012年7期2012-06-10
- 水分子配位對葉綠素a氧化還原勢與紅外光譜的影響
同位素標記引起其峰位變化量的差值小于3 cm-1.該計算為研究光合反應(yīng)中心電子傳遞鏈上葉綠素a的作用與功能提供理論參考依據(jù).密度泛函理論; 葉綠素a; 氧化還原勢; 離解能; 紅外光譜; 基組Abstract：In the reaction center of photosystem I the accessory electron transfer cofactors are two monomeric chlorophyll-a molecules t
物理化學(xué)學(xué)報 2010年11期2010-10-14