阻擋層
- 面向先進(jìn)電子封裝的擴(kuò)散阻擋層的研究進(jìn)展
UBM中的擴(kuò)散阻擋層能有效抑制無鉛焊點與基板界面各元素的擴(kuò)散反應(yīng)，避免生成較厚的IMCs，提高焊點的可靠性，因此具有重要的研究價值。研發(fā)高可靠擴(kuò)散阻擋材料，已成為近年來焊點技術(shù)的關(guān)注點之一。本文綜述了近年來先進(jìn)電子封裝領(lǐng)域中焊點擴(kuò)散阻擋材料及其性能的研究進(jìn)展，同時深入討論阻擋層的失效機制及擴(kuò)散阻擋機制，為今后的相關(guān)研究提供參考。1 擴(kuò)散阻擋材料及性能目前在先進(jìn)電子封裝領(lǐng)域常用的焊接結(jié)構(gòu)如圖1所示。Sn釬料和Cu基板被認(rèn)為是理想的選擇，但是Sn釬料和Cu基板
材料工程 2023年2期2023-02-22
- Re基擴(kuò)散阻擋層對鎳基高溫合金抗氧化性能影響的研究進(jìn)展
的相變使得擴(kuò)散阻擋層損壞［1-3］。最后，在高溫合金中，元素的相互擴(kuò)散會導(dǎo)致有害的拓?fù)渚o密填充（TCP）相的形成和二次反應(yīng)區(qū)（SRZ）的快速增長［4］。二次反應(yīng)區(qū)的形成可以通過破壞γ/γ′相結(jié)構(gòu)來降低鎳基合金的力學(xué)性能。因此，抑制涂層在高溫環(huán)境下的元素擴(kuò)散至關(guān)重要。擴(kuò)散阻擋涂層（DBC）系統(tǒng)的設(shè)計就是為了抑制合金基體和涂層之間的相互擴(kuò)散，同時確保在高溫下表面氧化物的緩慢生長。關(guān)于高溫合金擴(kuò)散阻擋層的設(shè)計與研究，很多學(xué)者作了相關(guān)的報道。Li等［5-6］報道了
現(xiàn)代交通與冶金材料 2023年1期2023-02-10
- 工藝參數(shù)對GLSI銅互連阻擋層CMP拋光效果的影響
，去除介質(zhì)層和阻擋層以實現(xiàn)對蝕坑和碟形坑的高效修正[5-6]。其間，真正影響多層銅布線 CMP平坦化效果的是阻擋層拋光后的缺陷，因此控制阻擋層CMP過程的缺陷非常重要[7]。隨著CMP技術(shù)在集成電路制造業(yè)中的應(yīng)用變得越來越廣泛，特別是特征尺寸的進(jìn)一步縮小，出現(xiàn)了更多新材料、新結(jié)構(gòu)和新技術(shù)，CMP工藝的重要性越來越突出，逐漸成為影響集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素[8-9]。目前我國極大規(guī)模集成電路(GLSI)銅CMP用的拋光液成分復(fù)雜，并且含有毒緩蝕劑苯并三氮唑
電鍍與涂飾 2023年1期2023-02-06
- 鈮合金表面Cr2O3/MoSi2/CoNiCrAlY復(fù)合涂層抗熔鹽腐蝕性能研究
其表面制備熔鹽阻擋層/反應(yīng)層，旨在利用反應(yīng)層的活性成分以消耗熔鹽，能有效地防止或延緩熔鹽的滲透，延長涂層的使用壽命[13-14]。Cr2O3陶瓷具有良好的抗高溫氧化性能，同時具有一定的熔鹽反應(yīng)活性，適于制備熔鹽阻擋層[15]。本文在鈮合金MoSi2涂層表面設(shè)計了Cr2O3熔鹽阻擋層，制備了Cr2O3/MoSi2/CoNiCrAlY復(fù)合涂層，并對其熔鹽腐蝕性能進(jìn)行實驗研究，分析其熔鹽腐蝕機理。1 實驗以Nb521高溫合金鑄錠為基體，采用電火花線切割將其加工成
西安航空學(xué)院學(xué)報 2022年5期2023-01-04
- Sn-2Ag-2.5Zn低銀含量合金焊料界面反應(yīng)
基板和電鍍Ni阻擋層銅基板進(jìn)行焊接，對焊點界面組織以及在220 ℃、不同時效處理時間下界面組織進(jìn)行形貌分析，分析焊點處金屬間化合物的種類和性能。1 實 驗將純錫(Sn)、鋅錠(Zn)和純銀(Ag)按質(zhì)量比加入坩堝中熔化，溫度設(shè)置600 ℃，時間設(shè)置30 min，熔融金屬液表面覆蓋KCl-LiCl，充分?jǐn)嚢璜@得均勻的Sn-Ag-Zn合金。稱量1 g合金放入松香液中熔化，松香液加熱溫度設(shè)置為260 ℃。焊料熔化后在表面張力作用下形成球狀，形成焊球后放入淬火油中
材料科學(xué)與工藝 2022年6期2023-01-03
- 7075鋁合金表面HEDP陽極氧化工藝參數(shù)影響分析
內(nèi)部較薄的致密阻擋層，第2部分是外部較厚的疏松多孔層[3]。在實際應(yīng)用中，必須對外層的氧化膜進(jìn)行封孔處理，這樣才能使其發(fā)揮應(yīng)有的作用。如果材料在使用環(huán)境中未進(jìn)行封閉處理時，由于其外部的多孔結(jié)構(gòu)，容易與腐蝕介質(zhì)接觸，甚至腐蝕介質(zhì)附著在孔中，嚴(yán)重影響材料的耐蝕性，使氧化膜的保護(hù)性大大降低[4]。因此在實際應(yīng)用時需首先考慮將孔封住，以避免腐蝕介質(zhì)浸入，而在需要對合金進(jìn)行著色處理時，也可將染料封在微孔中，然后再通過封閉處理使膜層的性能進(jìn)一步提高。在采用封孔處理后，
材料保護(hù) 2022年11期2022-12-07
- 基于Cu 阻擋層的Al/CuO 含能半導(dǎo)體橋的電爆性能研究?
RMFs 添加阻擋層前、后對于ESCB 電爆特性的影響。為了不引入其他元素，選取Cu 層作為納米Al/CuO RMFs 的阻擋層，采用磁控濺射技術(shù)制備了Al/CuO-ESCB 和 Al/Cu/CuO-ESCB。通過對比SCB、Al/CuO-ESCB 和Al/Cu/CuO-ESCB 的臨界激發(fā)時間和燃燒時間等參數(shù)，探究界面層對于ESCB電爆性能的影響，以期優(yōu)化ESCB 的電爆性能。1 試驗1.1 試劑與儀器試劑:Al 靶材(直徑76 mm，厚5 mm，純度為
爆破器材 2022年5期2022-10-10
- 具有M形空穴阻擋層結(jié)構(gòu)的AlGaN基深紫外激光二極管性能優(yōu)化
分研究針對電子阻擋層[13]、量子阱[14,15]、量子勢壘[16]、包覆層[17]、波導(dǎo)層[18]等結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化。而目前在深紫外激光二極管(DUV-LD)的空穴阻擋層(HBL)方面的研究相對較少。在深紫外激光二極管的工作過程中,進(jìn)入量子阱內(nèi)的載流子濃度越大,發(fā)生復(fù)合的概率越高[19]。高鋁組分AlGaN的p型摻雜激活能高導(dǎo)致空穴濃度小[20],同時多量子勢壘結(jié)構(gòu)的設(shè)計降低了價帶對于空穴的有效勢壘高度,這又導(dǎo)致相當(dāng)一部分的空穴溢出[21]。這部分空穴未能在
量子電子學(xué)報 2022年4期2022-08-22
- 基底偏壓對Zr-B-O-N薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
間加入一層擴(kuò)散阻擋層，可以有效解決Cu擴(kuò)散問題，同時改善Cu膜與介質(zhì)層之間的結(jié)合性能。理想的擴(kuò)散阻擋層材料應(yīng)具備厚度薄、耐高溫性好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)致密且與基體結(jié)合良好等特點。目前擴(kuò)散阻擋層材料的研究仍以過渡族金屬及其化合物為主，具有非晶或納米晶結(jié)構(gòu)的合金擴(kuò)散阻擋層成為主流研究方向[4-6]。二硼化鋯(ZrB2)具有許多優(yōu)異的性能，如高熔點(3250 ℃)、高熱導(dǎo)率(57.9 W·m-1·K-1)、低電阻率(4.6 μΩ·cm)，以及良好的耐腐蝕性、抗氧
中國材料進(jìn)展 2022年7期2022-08-06
- 硬質(zhì)陽極化工藝基礎(chǔ)數(shù)據(jù)分析與改進(jìn)
高的電阻，稱為阻擋層。阻擋層的厚度與形成電壓成正比，形成電壓越高，阻擋層越厚；而與氧化膜在溶液中的溶解速度成反比。陽極電壓達(dá)到最大值后開始有所下降，這時由于阻擋層膨脹而變得凹凸不平，凹處電阻較小而電流較大，在電場作用下發(fā)生電化學(xué)溶解，以及溶液侵蝕的化學(xué)溶解，凹處不斷加深而出現(xiàn)孔穴，這時電阻減小而電壓下降。多孔層增厚，大約在陽極化20 s后，電壓趨于平穩(wěn)，隨著氧化的減小，電壓稍有增加，但幅度很小。說明阻擋層在不斷的被溶解，孔穴逐漸變成孔隙而形成多孔層，電流通
現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟(jì)和信息化 2022年5期2022-07-07
- 銅合金自形成阻擋層制備及其性能研究
]。通常會插入阻擋層來解決銅的擴(kuò)散問題，然而，隨著特征尺寸的減小，要求阻擋層的厚度也要隨之減小。傳統(tǒng)的薄膜生長技術(shù)很難實現(xiàn)制備極薄且均勻的有效阻擋層，因此新型的阻擋層自形成技術(shù)被廣泛研究。為找到合適的合金元素已經(jīng)進(jìn)行了大多數(shù)研究工作，困難在于尋找合適的元素以形成熱穩(wěn)定的阻擋層同時保證較低的互連電阻率[8]。本文通過直流磁控濺射在襯底上淀積一層銅釩合金薄膜，由于銅具有較高的抗電遷徙能，故經(jīng)過退火處理后銅合金中的釩元素將自行擴(kuò)散至合金薄膜和襯底硅間交界處聚集，
應(yīng)用科技 2022年3期2022-07-06
- 多量子勢壘雙阻擋層結(jié)構(gòu)對AlGaN基深紫外激光二極管的性能優(yōu)化
本文在插入電子阻擋層的參考結(jié)構(gòu)上，又引入一空穴阻擋層來阻擋空穴泄露到n區(qū)，而抑制載流子泄露則需要相對較高的有效勢壘高度，多量子勢壘結(jié)構(gòu)的引入可有效提高其勢壘高度，更有效阻礙載流子泄露.在1986年Iga等人報道的文章中預(yù)測了這種結(jié)構(gòu)的效應(yīng)[12]；1991年，Kishino等人在660 nm可見光GaInP/AlInP激光二極管中證明了這種效應(yīng)[13]，以及Hirayama等人在2010年報道的文章，證實了這種結(jié)構(gòu)在AlGaN基深紫外發(fā)光二極管可有效提高電
原子與分子物理學(xué)報 2022年2期2022-03-04
- Ni/Bi0.4Sb1.6Te3熱電材料的界面性能
屬電極/焊料/阻擋層/熱電材料/阻擋層/焊料/金屬電極的三明治結(jié)構(gòu)構(gòu)成，在熱電領(lǐng)域的絕大多數(shù)研究都是致力于提高熱電材料的ZT值 (Thermoelectric figure of merit，熱電優(yōu)值)，對器件的電極接頭研究較少，然而在熱電材料應(yīng)用方面，熱電材料與金屬電極之間的界面穩(wěn)定性對熱電器件的穩(wěn)定服役具有決定性作用。為了提高界面穩(wěn)定性，減少阻擋熱電材料與焊料和電極材料之間的相互擴(kuò)散，通常在熱電材料與焊料之間插入一層防擴(kuò)散阻擋層[7]，阻擋層本身既需要
粉末冶金材料科學(xué)與工程 2022年1期2022-03-03
- TiO2光陽極阻擋層對DSSCs性能的影響
化太陽能電池的阻擋層作用原理在已有的關(guān)于光陽極的研究中，研究者更多的關(guān)注半導(dǎo)體、染料甚至透明導(dǎo)電膜等材料的結(jié)構(gòu)性能及其改性[7,8]。雖然光陽極制備工藝和參數(shù)上的微小變化都會對電池的性能產(chǎn)生很大影響[9,10]，但是對此的研究還是極為有限，阻擋層方面的研究很容易被忽視，其形貌、結(jié)構(gòu)、制備工藝等方面的調(diào)整，又會對電池性能產(chǎn)生相當(dāng)大的影響。筆者擬在保持染料、電解液和對電極不變的情況下，以P25為半導(dǎo)體多孔膜材料，以溶膠凝膠法制備阻擋層，研究溶膠體系、溶膠濃度、
河北科技師范學(xué)院學(xué)報 2021年3期2022-01-14
- 無擴(kuò)散阻擋層Cu(V)及其氮化物性能研究
雜其他元素制備阻擋層來抑制互擴(kuò)散。目前摻雜元素可以選擇難熔金屬，例如W、Mo、Ru、Ta 和Ti 等[3-12]，同時還發(fā)現(xiàn)，在Cu 中添加上述金屬的氮化物、碳化物也能起到相同的作用，如Cu(WNx)、Cu(TNx)和Cu(MoNx)等[13-16]薄膜。理想的阻擋層材料應(yīng)該在電阻率和熱穩(wěn)定性方面表現(xiàn)良好，我們可以用物理氣相沉積、原子層沉積[17]等技術(shù)制備。本文主要研究了Cu 膜中摻雜少量V 元素及其氮化物的性能。由于不同的合金元素?fù)诫s所自形成的阻擋層的
應(yīng)用科技 2021年6期2021-12-15
- 固體氧化物燃料電池Ce0.8Mo0.2O2+δ陰極阻擋層研究
材料應(yīng)用于陰極阻擋層材料，這些摻雜的CeO2具有較高的電導(dǎo)率，同時與LSCF 或LSC 具有較高的熱化學(xué)相容性，從而避免SrZrO3的形成[3]。一般采用絲網(wǎng)印刷沉積的Ce0.8Gd0.2O2－δ(CGO)阻擋層薄膜需要高的燒結(jié)溫度，而CGO和YSZ 在1 300oC 以上的高溫下燒結(jié)時，界面會發(fā)生元素擴(kuò)散，生成固溶體Ce0.37Zr0.38Gd0.08Y0.07O1.87，其離子電導(dǎo)率很低，從而影響電池的性能[4]。一般而言，采用絲網(wǎng)印刷沉積的CGO 阻
電源技術(shù) 2021年9期2021-11-20
- 集成電路互連介質(zhì)阻擋層進(jìn)展研究
層材料及其擴(kuò)散阻擋層的選擇制備與集成是逐漸成為制約超大規(guī)模集成電路發(fā)展的重要因素之一。用以金屬Cu及互連介質(zhì)層間擴(kuò)散阻擋作用的阻擋層對材料的電阻特性，兼容性和可靠性方面提出嚴(yán)格的要求。本文主要從解決Ru作為Cu擴(kuò)散阻擋層性能差這個角度出發(fā)，重點介紹了將Ru與TaN結(jié)合使用作為擴(kuò)散阻擋層以及向Ru中添加Ta(N)，從而增強Ru作為擴(kuò)散阻擋層性能這兩種方案。在研究Ru/TaN雙層和RuTa(N)薄膜作為擴(kuò)散阻擋層時發(fā)現(xiàn)，這兩種方案中都有相應(yīng)的影響因素，以及這些
電子世界 2021年20期2021-11-17
- ZnO/PbS異質(zhì)結(jié)量子點太陽能電池的界面修飾及穩(wěn)定性研究
用，相反，電子阻擋層則阻擋電子向金屬電極的傳輸。眾多研究已證明，電子傳輸層和電子阻擋層的引入可有效改善太陽能電池的性能[14-15]，在此基礎(chǔ)上，可進(jìn)一步通過優(yōu)化電子傳輸層和電子阻擋層來提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。Dagher 等[16]比較了不同電子傳輸層和空穴阻擋層對基于PbS/CdS 量子點光吸收層太陽能電池性能的影響，證明了界面修飾在改善界面表面形態(tài)、調(diào)整電池能級結(jié)構(gòu)、加強電荷傳輸?shù)确矫娴男в?。Yang 等[17]在ZnO 電子傳輸層中摻入少量C
化工學(xué)報 2021年3期2021-04-09
- 專利名稱：銅銦鎵硒薄膜太陽能電池銅鉬合金背電極及其制備方法
置的襯底、雜質(zhì)阻擋層、金屬導(dǎo)電層與硒阻擋層；雜質(zhì)阻擋層為硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金屬導(dǎo)電層為Cu或Cu合金；硒阻擋層為單阻擋層或復(fù)合阻擋層，單阻擋層為鉬、氧化鉬或氮化鉬，復(fù)合阻擋層由鉬、氧化鉬、氮化鉬的兩種或兩種以上層疊構(gòu)成；采用磁控濺射在襯底上依次沉積各個結(jié)構(gòu)層即完成制備；在以銅或銅合金為金屬導(dǎo)電層的背電極中引入雜質(zhì)阻擋層與硒阻擋層，雜質(zhì)阻擋層能夠阻止襯底中的雜質(zhì)向銅銦鎵硒薄膜光吸收層擴(kuò)散；硒阻擋層能夠阻止
中國鉬業(yè) 2021年1期2021-04-04
- 氧化鉭阻變存儲器的初始化電壓調(diào)制
子體氧化時間和阻擋層厚度對初始化電壓的影響。所制得的器件可在3.3 V 的初始化電壓和小于100 μA 的操作電流條件下穩(wěn)定工作，置位/復(fù)位電壓在1.8 V以內(nèi)。1 器件結(jié)構(gòu)和制備方法圖1 為本文所采用的阻變單元膜層堆砌結(jié)構(gòu)示意圖，采用下電極、緩沖層、阻變層、阻擋層、上電極的膜層結(jié)構(gòu)。由于化學(xué)機械研磨形成的下電極表面可能有不可控缺陷，而阻變層薄膜的質(zhì)量是影響器件性能的關(guān)鍵因素，因此相比于傳統(tǒng)的金屬?絕緣層?金屬結(jié)構(gòu)，在下電極與阻變層之間淀積了一層緩沖層。為
現(xiàn)代電子技術(shù) 2021年6期2021-03-17
- 關(guān)于延長在線LOW-E玻璃生產(chǎn)周期和提升質(zhì)量的方法
。反應(yīng)裝置分為阻擋層反應(yīng)器和功能層反應(yīng)器，分別安放于錫槽和退火窯內(nèi)，如圖1，2所示。在阻擋層反應(yīng)器中通入硅烷、乙烯、二氧化碳和氮氣在700℃左右的溫度下氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在玻璃表面沉積出折射率在1.5~2的低價氧化硅（化學(xué)通式Six(chy)2）作為鈉離子擴(kuò)散的阻擋膜和減反射膜。反應(yīng)后廢氣經(jīng)腔道排出處理。阻擋層反應(yīng)器示意如圖3所示；工藝流程如圖4所示。圖1 鍍膜工藝布置圖2 鍍膜設(shè)備布置圖3 阻擋層反應(yīng)器示意圖4 阻擋層工藝流程在功能層反應(yīng)器中，有機錫與三
江蘇建材 2021年1期2021-03-03
- 中長波雙色碲鎘汞紅外探測器器件模擬與分析
及吸收層和短波阻擋層對器件響應(yīng)率及串音的影響[8-10]。本文采用的是加拿大Crosslight公司的APSYS軟件進(jìn)行模擬計算分析,該軟件能夠針對化合物及元素半導(dǎo)體的電、光和熱特性作2D/3D有限元分析,涵蓋熱載流子流體動力學(xué)、深能級陷阱其陷阱動力學(xué)以及77K低溫仿真等多種物理模型,同時它具有大量的材料程序庫以及業(yè)界領(lǐng)先的數(shù)值收斂性,使得它便于模擬探測器及LED等半導(dǎo)體感光或發(fā)光器件。2 雙色器件結(jié)構(gòu)與碲鎘汞材料吸收系數(shù)模型目前國際上有多種研究機構(gòu)的多種
激光與紅外 2020年12期2021-01-14
- 氮分壓對Ta-Ru-N薄膜微觀組織和性能的影響
間制備一層擴(kuò)散阻擋層，來阻止由于Cu擴(kuò)散到層間介質(zhì)而導(dǎo)致的器件失效[3]。隨著Cu互連導(dǎo)線線寬的不斷縮小，傳統(tǒng)的TaN擴(kuò)散阻擋層體系已不能滿足半導(dǎo)體器件的性能要求[4]。由于Ru具有良好的性能， Ru已被認(rèn)為是最有潛力的新一代擴(kuò)散阻擋層材料[5-7]。文獻(xiàn)[8]探究了多種貴金屬用作擴(kuò)散阻擋層的可能性，證實了Ru可用作擴(kuò)散阻擋層材料。文獻(xiàn)[9]研究發(fā)現(xiàn)：Cu/Ru(20 nm)/Si薄膜體系在450 ℃退火時，Cu原子會發(fā)生擴(kuò)散導(dǎo)致擴(kuò)散阻擋層失效，當(dāng)薄膜厚度
河南科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2020年4期2020-05-22
- 正電子湮沒研究Al、Nb共摻CaCu3Ti4O12陶瓷高介電常數(shù)機理
分樣品晶界處內(nèi)阻擋層的厚薄。對樣品CCT(AN)xO(x=0.5%、5.0%)進(jìn)行EDS分析，其晶界的主要成分為銅和氧，且銅和氧的原子比例分別為1∶1.5和1∶1.8。這與樣品的XRD顯示的少量的CuO衍射峰的結(jié)果相對應(yīng)。圖4為樣品的阻抗復(fù)平面圖，圖中沿箭頭所指方向測試頻率增加。IBLC模型描述CaCu3Ti4O12的阻抗可用兩個并聯(lián)的RC電路串聯(lián)在一起的等效電路表示：1個并聯(lián)的Rg和Cg代表半導(dǎo)化晶粒的電阻和電容，另1個Rgb和Cgb代表晶界區(qū)域絕緣內(nèi)阻
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年6期2019-06-14
- 爐內(nèi)氧化對熱鍍鋅鍍層附著力的影響研究
/基板界面上的阻擋層，采用Zeiss場發(fā)射掃描電鏡(SEM)觀察溶鋅后基板表面形貌，并進(jìn)行能譜分析。采用Zeiss auriga的聚焦離子束(FIB)對揭下的鋅層從界面處向表面刻蝕，在配套的Zeiss場發(fā)射掃描電鏡(SEM)上觀察鍍層/基板界面元素在厚度方向的分布。采用ESCALAB 250 Xi的X射線光電子能譜分析儀(XPS)，將揭下鋅層后的表面向基板方向刻蝕，對成分進(jìn)行評價。圖1 沖壓后鍍層宏觀形貌2 實驗結(jié)果與討論2.1 界面形貌及成分采用SEM對
武漢工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報 2018年4期2019-01-14
- Si基雙色碲鎘汞材料阻擋層生長及表征
大缺陷的產(chǎn)生是阻擋層生長溫度高于短波層材料的生長溫度造成。為了獲得更好的Si基雙色HgCdTe材料晶體質(zhì)量,需要對阻擋層生長工藝進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化。準(zhǔn)平面雙色結(jié)構(gòu)利用多層外延技術(shù),通過刻蝕,以并列的方式構(gòu)成獨立的兩個不同響應(yīng)波段的pn結(jié)。為了防止不同吸收層的光生載流子擴(kuò)散到另一吸收層,避免形成波段之間的串音,在兩個吸收層之間生長一層高組分的阻擋層。所設(shè)計的阻擋層參數(shù)決定了其對串音的阻擋效果。在實際的工藝過程中發(fā)現(xiàn),阻擋層材料參數(shù)的表征有一定的困難。為了獲得材料參
激光與紅外 2018年8期2018-08-28
- 預(yù)拉伸對5層鋁熱傳輸材料焊后耐熔蝕性能的影響
釬焊層之間增加阻擋層，不僅能夠阻擋芯材元素的擴(kuò)散，而且能夠在一定程度上抑制釬料對芯材的熔蝕作用。但是對于中冷器等5層鋁合金熱傳輸材料，即使有阻擋層的作用，經(jīng)釬焊后仍會發(fā)生嚴(yán)重熔蝕。Nylen和Wittebrood等[3- 4]研究了預(yù)拉伸變形程度對釬料與芯層直接結(jié)合材料的抗熔蝕性能的影響，發(fā)現(xiàn)一定程度的預(yù)拉伸變形顯著改善了材料的抗熔蝕性能。本文對5層中冷器材料進(jìn)行預(yù)拉伸，研究預(yù)拉伸變形程度對焊后耐熔蝕性能的影響，以期為實際生產(chǎn)提供理論參考。1 試驗材料與方
上海金屬 2018年4期2018-07-26
- Ce3+/Y3+雙摻雜TiO2薄膜的制備及其在染料敏化太陽能電池中的應(yīng)用
摻雜的TiO2阻擋層，以期改善DSSC光電性能，提高可見光利用效率。1 實 驗1.1 主要材料與儀器六水合硝酸鈰、三氧化二釔、鈦酸四丁酯，分析純；稀硝酸、冰乙酸、曲拉通X-100，化學(xué)純。商用TiO2，P25，德固賽中國有限公司；N719染料，分析純，武漢晶格太陽能科技有限公司；FTO導(dǎo)電玻璃基片(100 mm×100 mm)，珠海凱為光電有限公司。真空旋轉(zhuǎn)涂層機，VTC-100，KJ Group；分光計器，SM-25，日本分光計器株式會社；太陽光模擬器，
大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2018年3期2018-06-19
- ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的研究進(jìn)展
ZnO之間引入阻擋層，形成p-i-n結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)，如寬禁帶材料MgO[14]與Al2O3[15]以及NiO[16,17]ZnO[18]等，利用阻擋層與ZnO的導(dǎo)帶形成的帶階將電子限制在ZnO中，從而增加ZnO中電子濃度；(3)在ZnO表面引入表面等離子體(SPP)如Ag[15,19]、Al[20]等，利用SPP與ZnO共振耦合形成局域電場，將電子局域在ZnO與SPP界面處；(4)在ZnO中引入局域態(tài)，捕獲ZnO中的電子并局域在此缺陷周圍，與來自GaN中的空
電子世界 2018年4期2018-03-20
- 電壓波形對陽極氧化鋁薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
一個雙層結(jié)構(gòu)的阻擋層:只含有正離子的內(nèi)層和只含有負(fù)離子的外層,這些電荷在阻擋層中形成一個自建場,與外場方向相反,實際電場是外加電場抵消掉自建電場之后剩余的電場。由圖2所示,在穩(wěn)態(tài)電壓下,形成的是有序的AAO孔洞,由于阻擋層的生成速率和溶解速率達(dá)到動態(tài)平衡,所以多孔氧化鋁的孔壁厚度能通過自我調(diào)控達(dá)到一個穩(wěn)定值,因此就形成了規(guī)則的AAO孔洞。但在動態(tài)電壓下,不同的陽極氧化電壓對應(yīng)著不同孔間距,電壓改變過程中勢必會引起孔間距的調(diào)整,最終導(dǎo)致不同的氧化鋁形貌。由于
實驗技術(shù)與管理 2017年8期2017-09-03
- 插指型SiO2電流阻擋層對大功率LED外量子效率的影響
型SiO2電流阻擋層對大功率LED外量子效率的影響劉夢玲， 高藝霖， 胡紅坡， 劉星童， 呂家將， 鄭晨居， 丁星火， 周圣軍*(武漢大學(xué) 動力與機械學(xué)院， 湖北 武漢 430072)為了改善藍(lán)光大功率LED芯片p電極處的電流擁擠現(xiàn)象，提高大功率LED芯片的外量子效率，在ITO透明導(dǎo)電層與p-GaN間沉積插指型SiO2電流阻擋層。采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積的方法沉積SiO2薄膜，再經(jīng)過光刻和BOE濕法刻蝕技術(shù)制備插指型SiO2電流阻擋層。采用SimuLE
發(fā)光學(xué)報 2017年6期2017-06-19
- 組分漸變過渡層對氮化鎵基發(fā)光二極管性能的影響
到量子壘和電子阻擋層界面。模擬計算結(jié)果表明：當(dāng)引入過渡層后，量子壘和電子阻擋層界面處的電子勢阱深度和空穴勢壘高度減小，有益于有源區(qū)載流子濃度的提高，有效提升了量子阱內(nèi)輻射復(fù)合速率，使發(fā)光效率衰減現(xiàn)象得到顯著改善.研究結(jié)果對大功率發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)設(shè)計和器件研發(fā)具有啟發(fā)作用.發(fā)光二極管；氮化鎵；多量子阱；效率衰減作為第四代照明光源的發(fā)光二極管(LED)具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長、體積小、抗震動、可控性強等眾多優(yōu)點，在照明、顯示、醫(yī)療、農(nóng)業(yè)、軍事等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價
中南民族大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2017年1期2017-04-15
- ZnO∶(Al, Sm)阻擋層薄膜的制備及其光電性能
Al, Sm)阻擋層薄膜的制備及其光電性能郭偉華1， 郝洪順1*， 靳閃閃1， 張作順2，劉妍君1， 李國輝1， 侯紅漫3*， 張公亮3(1. 大連工業(yè)大學(xué) 新材料與材料改性省高校重點實驗室, 遼寧 大連 116034; 2. 北京生態(tài)島科技有限責(zé)任公司 研發(fā)中心， 北京 102402； 3. 大連工業(yè)大學(xué) 食品學(xué)院， 遼寧 大連 116034)采用溶膠凝膠法制備ZnO∶Al,Sm阻擋層薄膜，并用X射線衍射儀(XRD)、能譜儀(EDS)、紅外光譜(FTIR
發(fā)光學(xué)報 2017年4期2017-04-12
- 石墨烯-銅復(fù)合互連將開啟芯片新時代
沉積氮化鉭作為阻擋層再沉積銅，以阻止銅離子擴(kuò)散。Wong則認(rèn)為，該手段僅在10 nm和7 nm節(jié)點前有效。隨著制程演進(jìn)，2 nm的阻擋層再難滿足要求。業(yè)界也在尋求其他阻止銅離子擴(kuò)散的襯底材料，如釕、鎂等。但當(dāng)?shù)竭_(dá)0.3nm時，非石墨烯不可。行業(yè)長久以來極力避免引入新材料，但當(dāng)前情況下引入新材料才是正道。如果銅無法滿足需求，總要有新材料取而代之，如鈷。Wong團(tuán)隊目前正與蘭姆實驗室和浙江大學(xué)合作研制并測試復(fù)合互連。石墨烯與銅是一對有趣的組合：石墨烯通常需要生
電子與封裝 2017年1期2017-03-16
- 擴(kuò)散阻擋層對NiCrAlYSi涂層不同條件下熱腐蝕行為的影響
0083)擴(kuò)散阻擋層對NiCrAlYSi涂層不同條件下熱腐蝕行為的影響許安1，楊陽1，李偉洲1,2，秦澤華1，岑廣1，劉會群2，易丹青2(1. 廣西大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，廣西 南寧，530004；2. 中南大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，湖南 長沙，410083)利用電弧離子鍍技術(shù)在DSM11合金基體上制備含或不含擴(kuò)散阻擋層(diffusion barrier，DB)的NiCrAlYSi涂層，對比研究2種涂層在900 ℃恒溫?zé)岣g行為和從900 ℃到室溫的循
中南大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2016年3期2016-12-07
- Cu互連中V、V-N和V/V-N薄膜的擴(kuò)散阻擋性能
V/V-N擴(kuò)散阻擋層,并在擴(kuò)散阻擋層上制備了厚度為300 nm的Cu薄膜,最終獲得了Cu/V/Si、Cu/V-N/Si和Cu/V/V-N/Si 3種多層薄膜.薄膜樣品在300～750℃真空熱處理1 h后,通過X射線衍射(XRD)儀、掃描電子顯微鏡(SEM)和四探針電阻測試(FPP)儀對薄膜樣品的晶體結(jié)構(gòu)、微觀組織形貌和方塊電阻進(jìn)行測試表征,對比分析了V、V-N和V/V-N 3種擴(kuò)散阻擋層的擴(kuò)散阻擋性能.實驗結(jié)果表明:V、V-N和V/V-N擴(kuò)散阻擋層均能夠有
廈門大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2016年6期2016-12-07
- 分子納米層作為銅擴(kuò)散阻擋層的研究進(jìn)展(一):分子納米層
米層作為銅擴(kuò)散阻擋層的研究進(jìn)展(一):分子納米層王亞斌1,2，劉忠1，李武1，董亞萍1，黃玉東2(1. 中國科學(xué)院青海鹽湖研究所， 西寧 810008； 2. 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 化工學(xué)院， 哈爾濱 150000)無機材料形成的納米層可以作為銅擴(kuò)散阻擋層，已經(jīng)被廣泛地研究，如鉭和氮化鉭。但是在低于3納米厚度，尤其在具有較高的深寬比的器件中，此類材料納米層不夠均勻致密，不能作為理想的擴(kuò)散阻擋層。由短的有機鏈和功能性端基組成的有機分子納米層被用來改善表面性能，如潤
功能材料 2016年8期2016-09-12
- Cu/NiW/Sn微凸點界面演變規(guī)律研究
?NiW)合金阻擋層，隨后鍍純錫。采用掃描電鏡(SEM)、背散射電子成像(BSE)、能譜(EDS)等手段研究了c?NiW合金阻擋層在回流及高溫老化試驗(HTST)中的界面演變。觀察到c?NiW合金阻擋層的界面出現(xiàn)了由Ni、W和Sn組成的新相“亮層”。通過跟蹤原子擴(kuò)散路徑以及相圖推算，認(rèn)為“亮層”是以Ni4W為基體、Sn固溶擴(kuò)散的三元合金相。Ni4W原本就存在于c?NiW合金阻擋層中，由于回流以及高溫老化過程中Ni不斷消耗以及Sn的逐漸擴(kuò)散，“亮層”開始逐漸
電鍍與涂飾 2016年1期2016-03-22
- 阻擋層的表面鍍覆將走上主導(dǎo)地位
堵本刊名譽主編阻擋層的表面鍍覆將走上主導(dǎo)地位林金堵 本刊名譽主編文章概要地評述了PCB表面涂覆層的發(fā)展過程，指出PCB表面涂覆層已走向具有“阻擋層”主導(dǎo)的年代。傳統(tǒng)沒有阻擋層的表面涂覆層會形成金屬間互化物（IMC）或者擴(kuò)散層等缺點，削弱連接盤的結(jié)合力而影響可靠性。采用有“阻擋層”結(jié)構(gòu)可避免金屬間形成互化物和互相擴(kuò)散，可穩(wěn)定或提高焊接的結(jié)合力?；瘜W(xué)鍍鎳浸金存在著明顯的缺點，將被具有致密結(jié)構(gòu)的阻擋層的化學(xué)鍍鎳浸鈀浸金或化學(xué)鍍鎳-鈀合金所取代。表面涂覆層；阻擋層
印制電路信息 2015年10期2015-12-28
- TiO2/BiFeO3薄膜中增強的磁性和鐵電性能
BFO之間引入阻擋層來抑制缺陷的形成，進(jìn)而改善材料的磁電性能.TiO2是介電半導(dǎo)體材料，在光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有著很好的應(yīng)用前景［12-13］，因此選擇TiO2作為阻擋層.同時，在BFO薄膜表面采用濺射方法生長TiO2薄膜，期望利用濺射的能量使部分鈦進(jìn)入BFO晶格，在鐵電層和TiO2層之間形成一復(fù)合層，破壞其螺旋結(jié)構(gòu)，獲得鐵電和磁性能良好的BFO 薄膜［11，14］.1 實驗選取分析純的Bi(NO3)3·5H2O 和Fe(NO3)3·9H2O作為初始原料，采用溶膠
材料科學(xué)與工藝 2015年2期2015-11-30
- 氧化模板在電子鋁箔腐蝕中的應(yīng)用
模板；通過減薄阻擋層厚度工藝及腐蝕工藝的調(diào)整，獲得了孔洞分布均勻的腐蝕箔，為開發(fā)高容量節(jié)能鋁電容器新腐蝕工藝提供了新思路。高純鋁箔; 多孔氧化膜; 腐蝕高壓鋁箔的純度及軋制工藝的差異常對其腐蝕發(fā)孔造成不利影響。具體表現(xiàn)在其表面狀態(tài)(雜質(zhì)、缺陷密度及其分布、氧化膜厚度等)對初始蝕孔的分布密度及蝕孔生長的影響以及表面狀態(tài)的不均勻性導(dǎo)致初始蝕孔引發(fā)的隨機性，從而不能有效地大幅度擴(kuò)大腐蝕箔的表面積。本文采用陽極氧化的方法在高純鋁箔表面形成一層多孔氧化膜。利用多孔氧
有色冶金節(jié)能 2014年4期2014-09-03
- 多通孔陽極氧化鋁膜的制備
））和帶基底的阻擋層（圖1（e））。1.2 實驗材料鋁片（中諾新材），尺寸（mm）∶50×30×0.3，備用。1.3 鋁片預(yù)處理備用鋁片依次經(jīng)CH3COCH3，CH3CH2OH，蒸餾水超聲清洗15 min，去除表面油脂，再侵入6%的NaOH溶液中去除鋁片表面自然生成的氧化層，最后再用大量蒸餾水沖洗干凈。1.4 陽極氧化將處理好的鋁片做陽極，同樣大小的鋁片做陰極，以0.4 mol/L的草酸溶液為電解液，在電壓35 V、35℃下氧化3小時，氧化過程中用攪拌器攪
四川輕化工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2014年1期2014-04-11
- 移去電子阻擋層對雙藍(lán)光波長LED性能的影響
31）移去電子阻擋層對雙藍(lán)光波長LED性能的影響嚴(yán)啟榮1，田世鋒1，章 勇2（1.廣東省理工職業(yè)技術(shù)學(xué)校，廣州 510500；2.華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所，廣州 510631）采用數(shù)值分析方法進(jìn)行模擬分析InGaN/GaN混合多量子阱中移去p-AlGaN電子阻擋層對GaN基雙藍(lán)光波長發(fā)光二極管（LED）性能的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，與傳統(tǒng)的具有p-AlGaN電子阻擋層的雙藍(lán)光波長LED相比，移去電子阻擋層能有效地改善電子和空穴在混合多量子阱活性層中的分布
電子與封裝 2014年11期2014-03-22
- 量子阱紅外探測器襯底完全去除技術(shù)研究
Ga1－xAs阻擋層。分別生長了阻擋層組分x為0．27μm和0．4μm的兩種類型量子阱材料。將材料制備成640×512探測器陣列［4］，中心間距25μm，并與讀出電路進(jìn)行互連后，通過底部填充的方法，對器件和讀出電路之間的縫隙進(jìn)行環(huán)氧樹脂膠填充，填好后在80℃下，進(jìn)行13 h的固化。2．2 GaAs襯底的初步去除為實現(xiàn)全部或局部去除GaAs襯底，先將探測器粘接在玻璃襯底上，再用膠保護(hù)好焊盤，等膠20 min膠固化好后，將粘接好的探測器用10%的9μm氧化鋁磨
激光與紅外 2014年11期2014-03-20
- 壘層p型摻雜量的分布對InGaN基發(fā)光二極管性能的影響
lGaN 電子阻擋層減少載流子泄漏，但是由于GaN 壘層與AlGaN 電子阻擋層存在較大的晶格失配，在最后一個GaN 壘層與AlGaN 電子阻擋層的界面處會產(chǎn)生較強的極化電場，導(dǎo)致最后一個壘層及電子阻擋層的能帶傾斜，不利于電子的限制及空穴的注入［1，9］. 另外，空穴的有效質(zhì)量較大，遷移率較小，使得空穴從p 型層遷移到發(fā)光多量子阱區(qū)域較為困難. PARK 等［10］研究表明對發(fā)光多量子阱所有的壘層進(jìn)行均勻的p 型摻雜，能減小極化電場進(jìn)而減小能帶彎曲，改善電
華南師范大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2013年2期2013-12-13
- NPB藍(lán)色有機電致發(fā)光器件的性能優(yōu)化研究
廣泛采用的空穴阻擋層材料[8,9]。15 V時器件的最高亮度為2 880 cd/m2，最大流明效率為0.55 lm/W。這為實現(xiàn)低成本藍(lán)色發(fā)光器件打下了一定的基礎(chǔ)，但是至今未見關(guān)于器件性能進(jìn)一步深入研究的報道。本文基于以上器件結(jié)構(gòu)，利用Alq3的空穴阻擋能力和高發(fā)光效率對器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，器件亮度較以上結(jié)構(gòu)器件提高了兩倍。2 實驗器件基片采用方阻約10 Ω/□的ITO導(dǎo)電玻璃，基片依次經(jīng)洗滌劑溶液、乙醇、去離子水超聲清洗各10 min，各清洗步驟之間用大
電子與封裝 2013年5期2013-12-05
- 三明治結(jié)構(gòu)電子阻擋層中勢阱深度對LED 性能的影響
lGaN 電子阻擋層不僅無法有效地抑制電子泄露，而且還會阻礙空穴的注入［6-8］。為了改善LED 的性能，研究者設(shè)計了各種改進(jìn)型的電子阻擋層結(jié)構(gòu)，例如Al 組分漸變的電子阻擋層［9-11］、與GaN 晶格匹配的Al0.18In0.82N 電子阻擋層［12］、AlGaInN 電子阻擋層［13］、AlGaN/GaN 超晶格電子阻擋層［14］等。結(jié)果表明，這些結(jié)構(gòu)都可以明顯地改善LED 的效率衰減問題，但與此同時，這些電子阻擋層結(jié)構(gòu)在外延生長過程中都存在不小的困
發(fā)光學(xué)報 2013年10期2013-10-21
- Ta-Si-N /Ti雙層結(jié)構(gòu)擴(kuò)散阻擋層的制備與表征
i之間增加一層阻擋層，阻擋Cu熱擴(kuò)散進(jìn)芯片有源區(qū)，并改善Cu與Si之間的粘附性。難熔金屬及其氮化物由于熔點高和化學(xué)惰性已經(jīng)廣泛地用于阻擋層材料[2-6]，其中研究得較多的阻擋層材料是TiN、TaNx和Ta-Si-N。然而Ta-Si-N電阻率較高(180-270μΩ cm)的特點還不能很好地適合電路高速運行的特點[7]。熱穩(wěn)定性好且電阻率低的阻擋層一直是人們所追求的。Murarka[8,9]的研究表明，Ti沉積到Si上后在不同的退火溫度下會形成不同的Ti-S
哈爾濱軸承 2013年2期2013-10-11
- 不同冷熱循環(huán)條件下NiCrAlY涂層體系的微觀組織演變規(guī)律及失效機理
加入一層叫擴(kuò)散阻擋層(Diffusion barrier)[4-6]的中間層。研究人員曾選用過貴金屬、難熔金屬、雙金屬和陶瓷等不同類型的涂層作為擴(kuò)散阻擋層[7-8]。其中，陶瓷型的擴(kuò)散阻擋層有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和高溫穩(wěn)定性及低的制作成本，得到了較為廣泛的研究[8]。CrON是一種陶瓷涂層，當(dāng)其作為擴(kuò)散阻擋層處于Ni基合金和NiCrAlY涂層之間時，在高溫處理過程中會生成剛玉結(jié)構(gòu)的α-Al2O3，具有很強的元素擴(kuò)散阻擋能力，被認(rèn)為是最有希望的“活性”擴(kuò)散阻擋層
中國有色金屬學(xué)報 2013年2期2013-09-25
- 鋁陽極氧化機理的研究進(jìn)展
型陽極氧化膜由阻擋層和多孔層兩層氧化膜組成。陽極氧化鋁膜可用于制造電解質(zhì)電容器、建筑裝飾材料、功能性氧化膜［1］、超微光電材料、發(fā)光膜、感光膜［2］及分離膜［3］等。除此之外，陽極氧化鋁膜在制備傳感膜、抗菌性多孔氧化鋁膜、硬質(zhì)膜和潤滑膜等方面也有著廣泛的應(yīng)用。本文簡述了陽極氧化鋁膜的形成機理和影響因素，并展望了未來的研究方向。1 陽極氧化鋁膜的形成機理鋁在電解槽液中作為陽極連接到外電源的正極，電解槽液的陰極連接到外電源的負(fù)極，在外電流作用下維持的電化學(xué)氧化
電鍍與環(huán)保 2013年3期2013-03-25
- 陽極氧化制備氧化鈦薄膜機理探討
磷酸質(zhì)量濃度對阻擋層厚度的影響由圖1可看出，隨著磷酸質(zhì)量濃度的增加，鈦合金陽極氧化膜阻擋層的厚度在減小，說明對氧化鈦薄膜起到溶解作用的是磷酸。圖2為不同ρ(H3PO4)下電流密度與成膜時間的關(guān)系。圖2 電流密度與成膜時間關(guān)系從圖2中可以看出，不同磷酸質(zhì)量濃度下的氧化電流密度均經(jīng)歷了一個從開始的電流突躍到急劇下降，而后上升并逐漸達(dá)到穩(wěn)定的過程。隨著磷酸質(zhì)量濃度的增加，阻擋層的電阻在逐漸降低，阻擋層的形成時間在縮短，導(dǎo)致阻擋層的厚度也在減小。因此，磷酸的質(zhì)量濃
電鍍與精飾 2012年6期2012-12-08
- 一種用于硅通孔的阻擋層和種子層一體化制備工藝研究
、絕緣層制備、阻擋層和種子層制備、深孔填充［1，2］。硅孔通過DRIE或者ICP刻蝕獲得。為了防止器件之間短路，首先在其上做一層絕緣層SiO2，絕緣介質(zhì)層也可以是 Si3O4，SiOC，SiCN，并逐漸往低K介質(zhì)發(fā)展。Cu在Si和含Si的介質(zhì)層中有較強的擴(kuò)散性，這樣Cu在其中會產(chǎn)生陷阱，使器件性能退化，所以，需要在絕緣層上制備一層阻擋層，阻擋層材料主要集中在難熔金屬 Ru，Ta，Ti及其氮化物 TaN，TiN，WN，以及其三元化合物TaSiN，WNC上。種
傳感器與微系統(tǒng) 2012年5期2012-10-22
- AAO 模板對交流電沉積金屬Ni 的影響
要除去鋁基底及阻擋層，利用鋁基底作為一極，在交流作用下可直接在孔洞中沉積金屬。 此方法簡單容易操作，不會改變孔徑大小。 但由于阻擋層的存在使得電沉積過程有一定難度。 目前交流電沉積一維Ni 納米線的工作還不多，沉積條件也有待優(yōu)化。本文首先采用二次陽極氧化方法制備孔徑在70-100nm之間的AAO 模板，優(yōu)化陽極氧化條件，找出降低阻擋層厚度的方法。 利用交流電沉積的方法得到Ni 納米線，并表征其形貌，探索交流電沉積的影響因素。1 實驗1.1 陽極氧化鋁模板的
科技視界 2012年18期2012-08-16
- 熱障涂層金屬元素擴(kuò)散阻擋層研究進(jìn)展
層金屬元素擴(kuò)散阻擋層研究進(jìn)展蔡 妍1，易 軍2，陸 峰1，陶春虎1（1北京航空材料研究院，北京100095；2總參陸航部裝備發(fā)展辦公室，北京100083）介紹了熱障涂層金屬元素擴(kuò)散阻擋層的需求背景，綜述了熱障涂層金屬擴(kuò)散阻擋層的設(shè)計原則、要求及發(fā)展歷程并且進(jìn)行了展望研究，重點討論了難熔金屬和貴金屬、雙多金屬和陶瓷層等擴(kuò)散阻擋層的性質(zhì)，并從制備技術(shù)、阻擴(kuò)散效果和應(yīng)用范圍等方面進(jìn)行了對比。最后指出多元擴(kuò)散阻擋層在未來長壽命熱障涂層中具有較大的發(fā)展?jié)摿Γ岢隽嗽?/div>
材料工程 2011年9期2011-04-01
- 氮化鈦阻擋層化學(xué)機械拋光液的研究
，提出增加擴(kuò)散阻擋層的解決方案。這需要尋找阻止Cu向硅或SiO2中擴(kuò)散的阻擋層材料。經(jīng)過系統(tǒng)的研究，合適的氮化物阻擋層材料主要有：TiN、TaN x、WN x等。選擇TiN作為擴(kuò)散阻擋層材料是因為其有如下優(yōu)點：具有很好的熱穩(wěn)定性；接觸電阻小且穩(wěn)定；有較低的方塊電阻；具有較小的應(yīng)力；具有顯示“刻蝕終點”的能力；氯基氣體可腐蝕，且不產(chǎn)生侵蝕和鉆蝕。氮化物阻擋層同樣也必須進(jìn)行全面平面化。目前，在超大規(guī)模集成電路制造中，化學(xué)機械拋光（Chemical Mechan電子設(shè)計工程 2011年16期2011-03-28
- 通孔微結(jié)構(gòu)對Cu/低-k應(yīng)力誘生空洞的影響*
互連通孔和通孔阻擋層形成工藝的波動性將影響互連通孔結(jié)構(gòu)的尺寸，由此帶來的通孔微結(jié)構(gòu)效應(yīng)對互連通孔和通孔底部互連SIV的影響需要被更好地理解.文中研究互連通孔和通孔阻擋層形成的工藝波動性對Cu/低-k互連通孔微結(jié)構(gòu)的影響，基于Cu的隨動強化模型［4］，使用有限元分析(FEA)方法，模擬分析通孔微結(jié)構(gòu)效應(yīng)對互連通孔和通孔底部互連金屬中的熱應(yīng)力分布，分析了不同應(yīng)力級別與SIV強度之間的關(guān)系，探討了不同BEOL通孔微結(jié)構(gòu)對Cu/低-k互連SIV的影響.1 通孔微結(jié)華南理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2011年3期2011-03-15
- 原位橢圓偏振光譜研究多孔陽極氧化鋁初期生長過程
層、Al2O3阻擋層以及多孔層組成、厚度變化的動態(tài)信息.根據(jù)光學(xué)模型及計算結(jié)果,可以清楚地分辨鋁陽極氧化過程中的阻擋層形成、孔洞萌生、孔洞發(fā)展以及多孔層穩(wěn)定生長等4個階段.在多孔層穩(wěn)定生長階段,阻擋層厚度及多孔層孔隙率幾乎不變,而多孔層厚度隨時間線性增長,其速率為5.8 nm·s-1.鋁;陽極氧化;模板;橢圓偏振光譜;有效介質(zhì)近似多孔陽極氧化鋁膜由于具有整齊規(guī)則的納米結(jié)構(gòu),是制備低維光學(xué)、電學(xué)或磁學(xué)納米功能材料的重要模板,近年來隨著納米技術(shù)的迅速發(fā)展而受到物理化學(xué)學(xué)報 2010年9期2010-11-06
- 氮化鈦阻擋層化學(xué)機械拋光液的研究